STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET200 V 18 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
チャンネルタイプ N
最大連続ドレイン電流 18 A
最大ドレイン-ソース間電圧 200 V
シリーズ STripFET
実装タイプ 表面実装
ピン数 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 125 mΩ
チャンネルモード エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 2.5V
最低ゲートしきい値電圧 1V
最大パワー消費 110 W
トランジスタ構成 シングル
最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V
幅 6.2mm
動作温度 Min -55 ℃mm
NチャンネルSTripFET、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
内容量1袋(5個)
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