onsemi トランジスタ， PNP， 表面実装， -3 A， MJD32CT4G

トランジスタタイプ = PNP
最大DCコレクタ電流 = -3 A
最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -100 V
パッケージタイプ = DPAK (TO-252)
実装タイプ = 表面実装
最大パワー消費 = 1.56 W
最小DC電流ゲイン = 10
トランジスタ構成 = シングル
最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V
最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V
最大動作周波数 = 3 MHz
ピン数 = 3
1チップ当たりのエレメント数 = 1
動作温度 Max = +150 ℃mm
先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON Semiconductor