onsemi トランジスタ， NPN， 表面実装， 8 A， MJD44H11T4G

トランジスタタイプ = NPN
最大DCコレクタ電流 = 8 A
最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V
パッケージタイプ = DPAK (TO-252)
実装タイプ = 表面実装
最大パワー消費 = 1.75 W
最小DC電流ゲイン = 60
トランジスタ構成 = シングル
最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V
最大動作周波数 = 85 MHz
ピン数 = 3
1チップ当たりのエレメント数 = 1
寸法 = 2.38 x 6.73 x 6.22mm
先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ