onsemi 抵抗内蔵トランジスタ， 表面実装， MMBF0201NLT1G

パッケージタイプ = SOT-23
実装タイプ = 表面実装
最大パワー消費 = 225 mW
トランジスタ構成 = シングル
ピン数 = 3
1チップ当たりのエレメント数 = 1
動作温度 Max = +150 ℃mm
この小型表面実装 MOSFET の低 RDS ( on )は、電力損失を最小限に抑え、消費電力を節約し、小型の電力管理回路での使用に最適です。主な用途は、 dc コンバータ、ポータブル及びバッテリ駆動製品(コンピュータ、プリンタ、 PCMCIA カード、携帯電話、コードレス電話など)の電源管理などです。低 RDS ( on )：高効率を実現し、バッテリ寿命を延長します 基板スペースを節約する小型 SOT-23 表面実装パッケージ 鉛フリーパッケージを用意 用途 DC-DC コンバータ 電力管理