onsemi トランジスタ， NPN， 表面実装， 200 mA， MMBT2369ALT1G

トランジスタタイプ = NPN
最大DCコレクタ電流 = 200 mA
最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 15 V
パッケージタイプ = SOT-23
実装タイプ = 表面実装
最大パワー消費 = 225 mW
最小DC電流ゲイン = 40
トランジスタ構成 = シングル
最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V
最大エミッタ-ベース間電圧 = 4.5 V
最大動作周波数 = 100 MHz
ピン数 = 3
1チップ当たりのエレメント数 = 1
動作温度 Max = +150 ℃mm