onsemi トランジスタ， NPN/PNP， 表面実装， 100 mA， BC847BPDW1T1G

トランジスタタイプ = NPN/PNP
最大DCコレクタ電流 = 100 mA
最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V
パッケージタイプ = SOT-363
実装タイプ = 表面実装
最大パワー消費 = 380 mW
最小DC電流ゲイン = 200
トランジスタ構成 = 絶縁型
最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V
最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V
最大動作周波数 = 100 MHz
ピン数 = 6
1チップ当たりのエレメント数 = 2
寸法 = 0.9 x 2 x 1.25mm
デュアルNPN/PNPトランジスタ、ON Semiconductor. デュアルトランジスタパッケージで、それぞれ1つのNPNデバイスとPNPデバイスを含みます。