onsemi 抵抗内蔵トランジスタ， NPN， 表面実装， NSS20501UW3T2G
トランジスタタイプ = NPN
最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 V
パッケージタイプ = WDFN
実装タイプ = 表面実装
最大パワー消費 = 1.5 W
最小DC電流ゲイン = 250
トランジスタ構成 = シングル
最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V dc
ピン数 = 3
1チップ当たりのエレメント数 = 1
寸法 = 2 x 2 x 0.75mm
RoHS指令(10物質対応)対応
内容量1袋(25個)
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