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onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MUN5235T1G

onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MUN5235T1G - onsemi

トランジスタタイプ = NPN
最大DCコレクタ電流 = 100 mA
最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V
パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)
実装タイプ = 表面実装
最大パワー消費 = 310 mW
トランジスタ構成 = シングル
ピン数 = 3
1チップ当たりのエレメント数 = 1
標準抵抗比 = 0.047kΩ
このシリーズのデジタルトランジスタは、単一デバイスと外部抵抗バイアスネットワークを置き換えるように設計されています。バイアス抵抗トランジスタ( BRT )には、 2 つの抵抗器、シリーズベース抵抗器、ベースエミッタ抵抗器で構成されるモノリシックバイアスネットワークを備えたシングルトランジスタが含まれています。BRT は、これらの個々のコンポーネントを 1 つのデバイスに統合することで、それらを排除します。BRT を使用することで、システムコストと基板スペースの両方を削減できます。回路設計の簡素化 基板スペースの削減 コンポーネント数を削減します 品番の先頭が「 S 」 / 「 NSV 」の製品は、固有のサイトや制御変更の要件及び PPAP 対応を必要とする車載用途やその他の用途に最適です 鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー

RoHS指令(10物質対応)対応内容量1セット(3000個)
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注文コード
品番
参考基準価格 (税別)販売価格(税別)販売価格(税込)
出荷目安
数量
81448074MUN5235T1G
オープン
12,980
14,278(税込)
7日以内出荷
返品不可
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