onsemi 抵抗内蔵トランジスタ， NPN， 表面実装， 200 mA， MMBT4124LT1G

トランジスタタイプ = NPN
最大DCコレクタ電流 = 200 mA
最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 V
パッケージタイプ = SOT-23
実装タイプ = 表面実装
最大パワー消費 = 300 W
最小DC電流ゲイン = 120
トランジスタ構成 = シングル
最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc
ピン数 = 3
1チップ当たりのエレメント数 = 1
寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm
NPN バイポーラトランジスタは、リニア用途やスイッチング用途向けに設計されています。このデバイスは、低消費電力の表面実装用途向けに設計された SOT-23 パッケージで提供されます。鉛フリーパッケージを用意