onsemi 抵抗内蔵トランジスタ， NPN， 表面実装， 100 mA， MUN5235DW1T1G

トランジスタタイプ = NPN
最大DCコレクタ電流 = 100 mA
最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V
パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)
実装タイプ = 表面実装
最大パワー消費 = 256 mW
トランジスタ構成 = 絶縁型
ピン数 = 6
1チップ当たりのエレメント数 = 2
標準抵抗比 = 0.047mm
デュアル抵抗デュアルデジタルトランジスタ、ON Semiconductor