Vishay N， Pチャンネル MOSFET60 V 190 mA， 300 mA 表面実装 パッケージSC-89-6 6 ピン

チャンネルタイプ = N， P
最大連続ドレイン電流 = 190 mA， 300 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
パッケージタイプ = SC-89-6
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 6
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω， 8 Ω
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 250 mW
トランジスタ構成 = 絶縁型
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
幅 = 1.7mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor