onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 3.5 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 3.5 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
パッケージタイプ = SOIC
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 2 W
トランジスタ構成 = 絶縁型
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
長さ = 4.9mm
順方向ダイオード電圧 = 1.2V
強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。