onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 18 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 18 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
シリーズ = UltraFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 75 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 49 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V
幅 = 6.22mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
UltraFETR MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFETR Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理