Vishay Nチャンネル MOSFET600 V 25 A 表面実装 パッケージPowerPAK 8 x 8 4 ピン

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 25 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
シリーズ = E Series
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 4
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 135 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 4V
最低ゲートしきい値電圧 = 2V
最大パワー消費 = 202 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V
幅 = 8.1mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
NチャンネルMOSFET、Eシリーズ、低性能指数、Vishay Semiconductor. VishayのEシリーズパワーMOSFETは、最大オン抵抗が極めて低く、低性能指数と高速スイッチングが特長の高電圧トランジスタです。 幅広い定格電流の製品が用意されています。 主な用途には、サーバー及び通信電源、LED照明、フライバックコンバータ、力率補正(PFC)、スイッチモード電源(SMPS)などがあります。. 特長. 低性能指数(FOM): RDS(on) x Qg 低入力静電容量(Ciss) 低オン抵抗(RDS(on)) 超低ゲート電荷(Qg) 高速スイッチング スイッチング損失及び導電損失を低減