Vishay Pチャンネル MOSFET40 V 6.5 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン

チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 6.5 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V
パッケージタイプ = SOIC
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 34 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V
最大パワー消費 = 3.2 W
トランジスタ構成 = 絶縁型
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
長さ = 5mm
高さ = 1.55mm
デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor