onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 55 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 55 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V
シリーズ = QFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 26 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 2V
最大パワー消費 = 3750 mW
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V
長さ = 10.67mm
高さ = 4.83mm
QFETR NチャンネルMOSFET、31 A超、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。