onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 1.2 A 表面実装 パッケージSOT-363 6 ピン

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 1.2 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V
シリーズ = PowerTrench
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 6
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 259 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V
最大パワー消費 = 300 mW， 360 mW
トランジスタ構成 = 絶縁型
最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V
幅 = 1.25mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
PowerTrenchRデュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench R MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。