onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 12 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 12 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
シリーズ = PowerTrench
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 2V
最大パワー消費 = 2500 mW
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
標準ゲートチャージ @ Vgs = 34 nC @ 10 Vmm
高さ = 1.5mm
PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor