Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 9.4 A スルーホール パッケージIPAK (TO-251) 3 ピン
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 9.4 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V
パッケージタイプ = IPAK (TO-251)
実装タイプ = スルーホール
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 210 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 4V
最低ゲートしきい値電圧 = 2V
最大パワー消費 = 48 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
標準ゲートチャージ @ Vgs = 25 nC @ 10 Vmm
動作温度 Min = -55 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
内容量1個
最大連続ドレイン電流 = 9.4 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V
パッケージタイプ = IPAK (TO-251)
実装タイプ = スルーホール
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 210 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 4V
最低ゲートしきい値電圧 = 2V
最大パワー消費 = 48 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
標準ゲートチャージ @ Vgs = 25 nC @ 10 Vmm
動作温度 Min = -55 ℃
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