Infineon Nチャンネル MOSFET20 V 1.2 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
NチャンネルパワーMOSFET 12 → 25 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 1.2 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 250 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 0.7V
最低ゲートしきい値電圧 = 0.7V
最大パワー消費 = 540 mW
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V
標準ゲートチャージ @ Vgs = 2.6 nC @ 4.5 Vmm
動作温度 Min = -55 ℃mm
最大連続ドレイン電流 = 1.2 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 250 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 0.7V
最低ゲートしきい値電圧 = 0.7V
最大パワー消費 = 540 mW
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V
標準ゲートチャージ @ Vgs = 2.6 nC @ 4.5 Vmm
動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応内容量1袋(5個)
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