Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 600 mA 表面実装 パッケージTSOP-6 6 ピン
NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 600 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 6
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.2 Ω
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 5.5V
最低ゲートしきい値電圧 = 3V
最大パワー消費 = 2 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V
トランジスタ素材 = Simm
動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
内容量1袋(10個)
最大連続ドレイン電流 = 600 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 6
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.2 Ω
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 5.5V
最低ゲートしきい値電圧 = 3V
最大パワー消費 = 2 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V
トランジスタ素材 = Simm
動作温度 Min = -55 ℃mm
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