Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 43 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 43 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = スルーホール
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 54 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 5V
最低ゲートしきい値電圧 = 3V
最大パワー消費 = 300 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V
動作温度 Max = +175 ℃
高さ = 16.51mm
最大連続ドレイン電流 = 43 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = スルーホール
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 54 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 5V
最低ゲートしきい値電圧 = 3V
最大パワー消費 = 300 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V
動作温度 Max = +175 ℃
高さ = 16.51mm
RoHS指令(10物質対応)対応内容量1袋(5個)
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