Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 1.6 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 1.6 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 235 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 1.3 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V
1チップ当たりのエレメント数 = 1mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
内容量1セット(3000個)
最大連続ドレイン電流 = 1.6 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 235 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 1.3 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V
1チップ当たりのエレメント数 = 1mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
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