Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 190 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
Infineon OptiMOS小信号MOSFET
仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 190 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V
パッケージタイプ = SOT-23
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 1.8V
最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V
最大パワー消費 = 500 mW
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
幅 = 1.3mm
高さ = 1mm
内容量1セット(3000個)
最大連続ドレイン電流 = 190 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V
パッケージタイプ = SOT-23
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 1.8V
最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V
最大パワー消費 = 500 mW
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
幅 = 1.3mm
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