Infineon Nチャンネル MOSFET150 V 44 A 表面実装 パッケージPQFN 5 x 6 8 ピン
NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 44 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 31 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 5V
最低ゲートしきい値電圧 = 3V
最大パワー消費 = 156 W
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
1チップ当たりのエレメント数 = 1mm
高さ = 0.85mm
RoHS指令(10物質対応)対応
内容量1袋(5個)
最大連続ドレイン電流 = 44 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 31 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 5V
最低ゲートしきい値電圧 = 3V
最大パワー消費 = 156 W
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
1チップ当たりのエレメント数 = 1mm
高さ = 0.85mm
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