Infineon N， Pチャンネル MOSFET20 V 1.7 A、2.4 A 表面実装 パッケージMSOP 8 ピン
デュアルN / PチャンネルパワーMOSFET、Infineon. InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。 さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。
仕様
チャンネルタイプ = N， P
最大連続ドレイン電流 = 1.7 A、2.4 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V
パッケージタイプ = MSOP
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 140 mΩ， 270 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 0.7V
最低ゲートしきい値電圧 = 0.7V
最大パワー消費 = 1250 mW
トランジスタ構成 = 絶縁型
最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V
標準ゲートチャージ @ Vgs = 5.3 nC @ 4.5 V、5.4 nC @ 4.5 Vmm
動作温度 Min = -55 ℃
最大連続ドレイン電流 = 1.7 A、2.4 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V
パッケージタイプ = MSOP
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 140 mΩ， 270 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 0.7V
最低ゲートしきい値電圧 = 0.7V
最大パワー消費 = 1250 mW
トランジスタ構成 = 絶縁型
最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V
標準ゲートチャージ @ Vgs = 5.3 nC @ 4.5 V、5.4 nC @ 4.5 Vmm
動作温度 Min = -55 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応内容量1個
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