Infineon Nチャンネル MOSFET110 V 16 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
International Rectifier の Infineon 設計の HEXFET R パワー MOSFET は、Advanced Processing 技術を活かして、シリコン面積当たりのオン抵抗を極めて低く抑えています。HEXFET パワー MOSFET に期待されるとおりの高速スイッチング及び耐久性の高いデバイス設計と相まって、幅広い用途の設計に適した効率と信頼性の極めて高いデバイスとなっています。先進のプロセス技術 動的dv/dt定格 高速スイッチング 完全アバランシェ定格
仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 16 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 110 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 115 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 4V
1チップ当たりのエレメント数 = 1
RoHS指令(10物質対応)対応
内容量1セット(3000個)
最大連続ドレイン電流 = 16 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 110 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 115 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 4V
1チップ当たりのエレメント数 = 1
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