Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 33 A スルーホール パッケージI2PAK (TO-262) 3 ピン
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 33 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = スルーホール
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 44 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大パワー消費 = 130 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
幅 = 4.83mm
高さ = 9.65mm
RoHS指令(10物質対応)対応
内容量1セット(50個)
最大連続ドレイン電流 = 33 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = スルーホール
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 44 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大パワー消費 = 130 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
幅 = 4.83mm
高さ = 9.65mm