Infineon Nチャンネル MOSFET20 V 950 mA 表面実装 パッケージSOT-363 6 ピン
Infineon OptiMOS2パワーMOSFETファミリ. Infineonの OptiMOS2 Nチャンネルファミリは、同社の電圧グループ内で最も低いON抵抗を実現しています。 Power MOSFETシリーズは、高周波通信、データ通信、太陽光発電、低電圧デバイス、サーバー電源を含む多くの用途で使用できます。 OptiMOS 製品ファミリの範囲は20 V以上です。様々なパッケージタイプが揃っています。
仕様
チャンネルタイプ N
最大連続ドレイン電流 950 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 20 V
シリーズ OptiMOS(TM) 2
実装タイプ 表面実装
ピン数 6
最大ドレイン-ソース間抵抗 600 mΩ
チャンネルモード エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 1.2V
最低ゲートしきい値電圧 0.7V
最大パワー消費 500 mW
トランジスタ構成 絶縁型
最大ゲート-ソース間電圧 -12 V， +12 V
幅 1.25mm
高さ 0.8mm
RoHS指令(10物質対応)対応
内容量1セット(3000個)
最大連続ドレイン電流 950 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 20 V
シリーズ OptiMOS(TM) 2
実装タイプ 表面実装
ピン数 6
最大ドレイン-ソース間抵抗 600 mΩ
チャンネルモード エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 1.2V
最低ゲートしきい値電圧 0.7V
最大パワー消費 500 mW
トランジスタ構成 絶縁型
最大ゲート-ソース間電圧 -12 V， +12 V
幅 1.25mm
高さ 0.8mm
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