Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 57 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 57 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V
パッケージタイプ = TO-220AB
実装タイプ = スルーホール
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 23 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 4V
最低ゲートしきい値電圧 = 2V
最大パワー消費 = 200 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
標準ゲートチャージ @ Vgs = 130 nC @ 10 Vmm
高さ = 8.77mm
最大連続ドレイン電流 = 57 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V
パッケージタイプ = TO-220AB
実装タイプ = スルーホール
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 23 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 4V
最低ゲートしきい値電圧 = 2V
最大パワー消費 = 200 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
標準ゲートチャージ @ Vgs = 130 nC @ 10 Vmm
高さ = 8.77mm
RoHS指令(10物質対応)対応内容量1個
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