Infineon Nチャンネル MOSFET150 V 83A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 83A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = スルーホール
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 15 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 5V
最低ゲートしきい値電圧 = 3V
最大パワー消費 = 330 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V
標準ゲートチャージ @ Vgs = 72 nC @ 10 V
高さ = 8.77mm
RoHS指令(10物質対応)対応
内容量1個
最大連続ドレイン電流 = 83A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = スルーホール
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 15 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 5V
最低ゲートしきい値電圧 = 3V
最大パワー消費 = 330 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V
標準ゲートチャージ @ Vgs = 72 nC @ 10 V
高さ = 8.77mm
ディスクリートその他関連用品 の新着商品
カテゴリ
商品レビュー
よくあるご質問(FAQ)
「ディスクリート」にはこんなカテゴリがあります
シェアする
