Infineon N， Pチャンネル MOSFET30 V 3 A、4 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン

デュアルN / PチャンネルパワーMOSFET、Infineon。InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。