Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 72 A スルーホール パッケージTO-220AB FP 3 ピン
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 72 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = スルーホール
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.5 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 4V
最低ゲートしきい値電圧 = 2V
最大パワー消費 = 61 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
トランジスタ素材 = Simm
高さ = 16.13mm
RoHS指令(10物質対応)対応
内容量1セット(50個)
最大連続ドレイン電流 = 72 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = スルーホール
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.5 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 4V
最低ゲートしきい値電圧 = 2V
最大パワー消費 = 61 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
トランジスタ素材 = Simm
高さ = 16.13mm
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