Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 100 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピン
Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、100 V以上
仕様
チャンネルタイプ N
最大連続ドレイン電流 100 A
最大ドレイン-ソース間電圧 100 V
パッケージタイプ TDSON
実装タイプ 表面実装
ピン数 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 8.6 mΩ
チャンネルモード エンハンスメント型
最大パワー消費 156 W
トランジスタ構成 シングル
最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V
動作温度 Max +150 ℃mm
順方向ダイオード電圧 1.2V
Infineon OptiMOS(TM)3パワーMOS(TM)ET、100 V以上
最大連続ドレイン電流 100 A
最大ドレイン-ソース間電圧 100 V
パッケージタイプ TDSON
実装タイプ 表面実装
ピン数 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 8.6 mΩ
チャンネルモード エンハンスメント型
最大パワー消費 156 W
トランジスタ構成 シングル
最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V
動作温度 Max +150 ℃mm
順方向ダイオード電圧 1.2V
Infineon OptiMOS(TM)3パワーMOS(TM)ET、100 V以上
内容量1袋(10個)
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