Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 7 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピン
Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、100 V以上
仕様
チャンネルタイプ N
最大連続ドレイン電流 7 A
最大ドレイン-ソース間電圧 200 V
シリーズ OptiMOS(TM) 3
実装タイプ 表面実装
ピン数 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 225 mΩ
チャンネルモード エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 4V
最低ゲートしきい値電圧 2V
最大パワー消費 34 W
トランジスタ構成 シングル
最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V
幅 6.35mm
動作温度 Min -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
内容量1袋(20個)
最大連続ドレイン電流 7 A
最大ドレイン-ソース間電圧 200 V
シリーズ OptiMOS(TM) 3
実装タイプ 表面実装
ピン数 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 225 mΩ
チャンネルモード エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 4V
最低ゲートしきい値電圧 2V
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