Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 660 mA 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピン
Infineon SIPMOSR NチャンネルMOSFET
仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 660 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V
パッケージタイプ = SOT-223
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.8 Ω
チャンネルモード = デプレッション型
最大ゲートしきい値電圧 = 1V
最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V
最大パワー消費 = 1.8 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
動作温度 Max = +150 ℃mm
高さ = 1.6mm
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最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V
パッケージタイプ = SOT-223
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
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チャンネルモード = デプレッション型
最大ゲートしきい値電圧 = 1V
最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V
最大パワー消費 = 1.8 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
動作温度 Max = +150 ℃mm
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RoHS指令(10物質対応)対応内容量1セット(1000個)
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