Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 9 A 表面実装 パッケージSO-8 8 ピン
Infineon 40 V シングル N チャンネル HEXFET パワー MOSFET は、 SO-8 パッケージに収容されています。超低ゲートインピーダンス 超低 RDS ( on ) アバランシェ電圧 / 電流を完全特性化
仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 9 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 21 MO
最大ゲートしきい値電圧 = 3V
1チップ当たりのエレメント数 = 1
最大連続ドレイン電流 = 9 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 21 MO
最大ゲートしきい値電圧 = 3V
1チップ当たりのエレメント数 = 1
RoHS指令(10物質対応)対応内容量1セット(4000個)
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