Infineon Nチャンネル MOSFET55 V 150 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
仕様
チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 150 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 V シリーズ = HEXFET 実装タイプ = スルーホール ピン数 = 3 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.9 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型 最大ゲートしきい値電圧 = 4V 最低ゲートしきい値電圧 = 2V 最大パワー消費 = 230 W トランジスタ構成 = シングル 最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V 幅 = 4.83mm 動作温度 Min = -55 ℃mm