Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 300 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 300 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
シリーズ = OptiMOS
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4 Ω
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V
最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V
最大パワー消費 = 500 mW
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
1チップ当たりのエレメント数 = 1mm
動作温度 Min = -55 ℃
Infineon OptiMOS小信号MOSFET
最大連続ドレイン電流 = 300 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
シリーズ = OptiMOS
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4 Ω
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V
最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V
最大パワー消費 = 500 mW
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
1チップ当たりのエレメント数 = 1mm
動作温度 Min = -55 ℃
Infineon OptiMOS小信号MOSFET
RoHS指令(10物質対応)対応内容量1袋(100個)
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