Infineon Nチャンネル MOSFET50 V 3 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 3 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 3V
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 2 W
トランジスタ構成 = 絶縁型
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
1チップ当たりのエレメント数 = 2mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
最大連続ドレイン電流 = 3 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 3V
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 2 W
トランジスタ構成 = 絶縁型
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
1チップ当たりのエレメント数 = 2mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応内容量1袋(20個)
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