Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 130 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
NチャンネルパワーMOSFET 40 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 130 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V
パッケージタイプ = TO-220AB
実装タイプ = スルーホール
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 1V
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 200000 mW
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V
標準ゲートチャージ @ Vgs = 100 nC @ 4.5 V
動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
内容量1個
最大連続ドレイン電流 = 130 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V
パッケージタイプ = TO-220AB
実装タイプ = スルーホール
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 1V
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 200000 mW
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V
標準ゲートチャージ @ Vgs = 100 nC @ 4.5 V
動作温度 Min = -55 ℃mm
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