Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 49 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピン
Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、最大40 V. OptiMOS製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。 これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。. 高速スイッチングMOSFET、SMPS用 DC/DCコンバータ用に最適化された技術 対象用途に対してJEDEC1に適合 Nチャンネル、ロジックレベル 優れたゲート電荷量 R DS(on)製品(FOM) 超低オン抵抗 DS(on) 鉛フリーめっき
仕様
チャンネルタイプ N
最大連続ドレイン電流 49 A
最大ドレイン-ソース間電圧 40 V
シリーズ OptiMOS(TM) 3
実装タイプ 表面実装
ピン数 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 13.7 mΩ
チャンネルモード エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 2V
最低ゲートしきい値電圧 1.2V
最大パワー消費 2.5 W
トランジスタ構成 シングル
最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V
トランジスタ素材 Simm
動作温度 Min -55 ℃mm
最大連続ドレイン電流 49 A
最大ドレイン-ソース間電圧 40 V
シリーズ OptiMOS(TM) 3
実装タイプ 表面実装
ピン数 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 13.7 mΩ
チャンネルモード エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 2V
最低ゲートしきい値電圧 1.2V
最大パワー消費 2.5 W
トランジスタ構成 シングル
最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V
トランジスタ素材 Simm
動作温度 Min -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応内容量1袋(5個)
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