Infineon Pチャンネル MOSFET60 V 80 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET。Infineon SIPMOS ；sup>；R ；/sup>；小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。AEC-Q101適合(データシートを参照してください)・無鉛めっき、RoHS対応
仕様チャンネルタイプ = P、最大連続ドレイン電流 = 80 A、最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V、シリーズ = SIPMOSR、実装タイプ = 表面実装、ピン数 = 3、最大ドレイン-ソース間抵抗 = 23 mΩ、チャンネルモード = エンハンスメント型、最大ゲートしきい値電圧 = 4V、最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V、最大パワー消費 = 340 W、トランジスタ構成 = シングル、最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V、動作温度 Max = +175 ℃mm、高さ = 4.57mmRoHS指令(10物質対応)対応内容量1セット(1000個)
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