Infineon Nチャンネル MOSFET55 V 42 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 42 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 V
パッケージタイプ = DPAK (TO-252)
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 2V
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 110 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V
動作温度 Max = +175 ℃mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
内容量1袋(20個)
最大連続ドレイン電流 = 42 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 V
パッケージタイプ = DPAK (TO-252)
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 2V
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 110 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V
動作温度 Max = +175 ℃mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
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