Infineon Nチャンネル MOSFET650 V 31.2 A 表面実装 パッケージTO-263 3 ピン
Infineon のクール MOS の設計は、超ジャンクション( SJ )の原理に基づいて設計された Infineon Technologies のパイオニアである、高電圧 MOSFET 向けの革新的な技術です。600 Cool MOS C7 シリーズは、SJ MOSFET サプライヤの経験と高度な技術革新を兼ね備えた製品です。600 C7 は、RDS on * が オーム mm 未満の初めてのテクノロジーです。超高速ボディダイオード
仕様
チャンネルタイプ N
最大連続ドレイン電流 31.2 A
最大ドレイン-ソース間電圧 650 V
シリーズ CoolMOS(TM)
実装タイプ 表面実装
ピン数 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 0.11 Ω
チャンネルモード エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 4.5V
1チップ当たりのエレメント数 1
最大連続ドレイン電流 31.2 A
最大ドレイン-ソース間電圧 650 V
シリーズ CoolMOS(TM)
実装タイプ 表面実装
ピン数 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 0.11 Ω
チャンネルモード エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 4.5V
1チップ当たりのエレメント数 1
RoHS指令(10物質対応)対応内容量1セット(1000個)
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