Infineon Nチャンネル MOSFET55 V 160 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン
インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 160 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = スルーホール
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.3 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大パワー消費 = 310 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
幅 = 19.71mm
高さ = 5.31mm
最大連続ドレイン電流 = 160 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = スルーホール
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.3 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大パワー消費 = 310 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
幅 = 19.71mm
高さ = 5.31mm
RoHS指令(10物質対応)対応内容量1セット(25個)
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