Infineon FRAMメモリ， 4kbit， SOIC， SPI， FM25040B-G
FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様
メモリサイズ = 4kbit
構成 = 512 x 8ビット
インターフェースタイプ = SPI
データバス幅 = 8bit
最大ランダムアクセス時間 = 20ns
実装タイプ = 表面実装
パッケージタイプ = SOIC
ピン数 = 8
寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm
長さ = 4.97mm
動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm
高さ = 1.48mm
動作温度 Max = +85 ℃
ワード数 = 512bit
RoHS指令(10物質対応)対応
内容量1袋(5個)
構成 = 512 x 8ビット
インターフェースタイプ = SPI
データバス幅 = 8bit
最大ランダムアクセス時間 = 20ns
実装タイプ = 表面実装
パッケージタイプ = SOIC
ピン数 = 8
寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm
長さ = 4.97mm
動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm
高さ = 1.48mm
動作温度 Max = +85 ℃
ワード数 = 512bit
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