Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 120 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
Infineon OptiMOS 3 パワー MOSFET 、 60 ~ 80V. OptiMOS 製品は、最も過酷な用途に応える高性能パッケージで提供されており、限られたスペースで最大限の柔軟性を発揮します。これらのInfineon製品は、コンピューティングアプリケーションにおける先進的な次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件を満たし、そして、上回るように設計されています。. SMPS 用の高速スイッチング MOSFET DC/DCコンバータ用に最適化された技術 対象用途に対してJEDEC1に適合 Nチャンネル・ロジックレベル 優れたゲート電荷量 x R DS(on)製品(FOM) 超低オン抵抗 R DS(on) 鉛フリーめっき
仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 120 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
パッケージタイプ = TO-220
実装タイプ = スルーホール
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.2 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 4V
最低ゲートしきい値電圧 = 2V
最大パワー消費 = 188 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
標準ゲートチャージ @ Vgs = 124 nC @ 10 Vmm
順方向ダイオード電圧 = 1.2V
RoHS指令(10物質対応)対応
内容量1袋(5個)
最大連続ドレイン電流 = 120 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
パッケージタイプ = TO-220
実装タイプ = スルーホール
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.2 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 4V
最低ゲートしきい値電圧 = 2V
最大パワー消費 = 188 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
標準ゲートチャージ @ Vgs = 124 nC @ 10 Vmm
順方向ダイオード電圧 = 1.2V