Infineon Pチャンネル MOSFET30 V 5.8 A 表面実装 パッケージTSOP-6 6 ピン
NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 5.8 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 6
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 66 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大パワー消費 = 2 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
幅 = 1.75mm
動作温度 Min = -55 ℃V
RoHS指令(10物質対応)対応
内容量1袋(50個)
最大連続ドレイン電流 = 5.8 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 6
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 66 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大パワー消費 = 2 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
幅 = 1.75mm
動作温度 Min = -55 ℃V
電子部品(オンボード) の新着商品
カテゴリ
商品レビュー
よくあるご質問(FAQ)
「ディスクリート」にはこんなカテゴリがあります
シェアする
