Infineon Pチャンネル MOSFET30 V 8 A 表面実装 パッケージSO-8 8 ピン
PチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 8 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
シリーズ = Si4435DYPbF
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 35 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 0
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 2.5 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = 20 V
動作温度 Max = +150 ℃mm
高さ = 1.5mm
内容量1袋(10個)
最大連続ドレイン電流 = 8 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
シリーズ = Si4435DYPbF
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 35 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 0
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 2.5 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = 20 V
動作温度 Max = +150 ℃mm
高さ = 1.5mm
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